Anwendungsbasiert

Vergleich und Auswahl der Energiespeicherkondensator-Technologie Verfasst von: Daniel West| Ussama Margieh Zusammenfassung: Tantal-, MLCC- und Superkondensatortechnologien sind aufgrund ihrer hohen Kapazitätsfähigkeit ideal für viele Energiespeicheranwendungen. Diese Kondensatoren weisen drastisch unterschiedliche elektrische und umweltbedingte Reaktionen auf, die manchmal nicht explizit in den Datenblättern aufgeführt sind oder zusätzliche Kenntnisse über die Eigenschaften der verwendeten Materialien erfordern, um die beste Lösung für ein bestimmtes Design auszuwählen.

Passive Automobilelektronik für 48-V-Systeme und V2X Verfasst von: James Emerick Zusammenfassung: Zwei der treibenden Kräfte hinter der sich schnell entwickelnden Automobilindustrie sind Kraftstoffeffizienz und Sicherheit. Die Kraftstoffeffizienz wird in erster Linie durch eine Kombination aus gesetzlichen Anforderungen zur Reduzierung von CO2-Emissionen und Verbraucherforderungen nach einer verbesserten Betriebswirtschaftlichkeit bestimmt. Obwohl die Sicherheit schon immer an erster Stelle stand, hat sie aufgrund der Fortschritte bei Fahrerassistenz- und fahrerlosen Technologien erneut an Bedeutung gewonnen. Der Wandel hin zu 48-V-Subsystemen und die Integration der Vehicle-to-Everything (V2X)-Kommunikation sind zwei Paradebeispiele für erhebliche Fortschritte bei Effizienz bzw. Sicherheit. In beiden Fällen sind neue Klassen elektronischer Passivelemente (Kondensatoren, Induktivitäten, Antennen, Verbindungen) erforderlich, um diese Technologien in Mainstream-Produkte zu integrieren und gleichzeitig strenge regulatorische Standards für die Automobilindustrie zu erfüllen.

Passive Komponenten für GaN-basierte Geräte Geschrieben von: Ron Demcko | Daniel West Zusammenfassung: Die theoretischen Grenzen der Leistung siliziumbasierter Geräte nähern sich schnell und sind in einigen Fällen bereits erreicht. Daher haben IC-Designunternehmen (Integrated Circuit) ihre Bemühungen darauf ausgerichtet, die Kosten zu senken und gleichzeitig die Leistung von Halbleitern mit großer Bandlücke wie GaN (Galliumnitrid) zu steigern. Aufgrund dieser intensiven Bemühungen sind GaN-basierte Leistungs- und HF-Geräte (Hochfrequenzgeräte) mittlerweile von mehreren Herstellern zu erschwinglichen Preisen erhältlich. Mehrere Quellen haben die Leistungsvorteile von GaN-basierten Halbleitern wie schnellere Geschwindigkeit, geringere Verluste und einen Betrieb mit höherer Frequenz, Spannung und Temperatur dokumentiert. Diese Vorteile wiederum ermöglichen Endsystemen, die eine verbesserte Leistung bei geringerem Stromverbrauch in kleineren und leichteren Paketen bieten.