Ein mehrschichtiger Ansatz für Transientenspannungsunterdrücker
Verfasser: John Maxwell | Ning Chan | Allen Templeton
Abstract:
Verbesserungen bei integrierten Schaltkreisen haben zu höheren Geschwindigkeiten und erhöhter ESD-Empfindlichkeit geführt. Neue Systeme benötigen mehr denn je externen Schutz, aber Fortschritte in der Oberflächenmontagetechnik und der Produktminiaturisierung setzen den Schutzkomponenten erhebliche Größenbeschränkungen auf. Fortschritte in der Keramik ermöglichen jetzt den Bau von Überspannungsschutzgeräten mit Mehrschichtstrukturen, was zu verbesserter elektrischer Leistung und kleineren Abmessungen als vergleichbare Scheibenkonfigurationen führt. Klemmspannungs- und Spitzenstromleistungen, die denen von Zenerdioden-Überspannungsschutzgeräten nahekommen, werden in der gängigen Chipgröße 1206 (3.2 x 1.6 mm) erreicht, einem Drittel der Größe von SMT-Scheibenvaristoren oder SMT-Zenerdioden-Überspannungsschutzgeräten.
TECHNISCHES PAPIER HERUNTERLADEN
Verbesserungen bei integrierten Schaltkreisen haben zu höheren Geschwindigkeiten und erhöhter ESD-Empfindlichkeit geführt. Neue Systeme benötigen mehr denn je externen Schutz, aber Fortschritte in der Oberflächenmontagetechnik und der Produktminiaturisierung setzen den Schutzkomponenten erhebliche Größenbeschränkungen auf. Fortschritte in der Keramik ermöglichen jetzt den Bau von Überspannungsschutzgeräten mit Mehrschichtstrukturen, was zu verbesserter elektrischer Leistung und kleineren Abmessungen als vergleichbare Scheibenkonfigurationen führt. Klemmspannungs- und Spitzenstromleistungen, die denen von Zenerdioden-Überspannungsschutzgeräten nahekommen, werden in der gängigen Chipgröße 1206 (3.2 x 1.6 mm) erreicht, einem Drittel der Größe von SMT-Scheibenvaristoren oder SMT-Zenerdioden-Überspannungsschutzgeräten.
