Verbesserter ESR bei MnO2-Tantalkondensatoren über einen weiten Spannungsbereich
Geschrieben von: I. Horacek | T. Zednicek | M. Komarek | J. Tomasko | S. Zednicek | W. A. Millman | J. Sikula | J. Hlavka
Abstract:
Ein allgemeiner Trend bei Schaltnetzteilen, Mikroprozessoren und digitalen Schaltkreisen besteht darin, bei höheren Frequenzen weniger Rauschen zu erzielen. Um dies zu erreichen, sind Komponenten mit niedrigem äquivalenten Serienwiderstand (ESR), hoher Kapazität und hoher Zuverlässigkeit erforderlich. Eine neue Generation von Tantal-Chipkondensatoren mit niedrigem ESR wurde unter Verwendung eines MnO2-Elektrolyten mit niedrigem Widerstand entwickelt, der einen sehr niedrigen Komponenten-ESR ermöglicht. Die MnO2-Technologie bietet hervorragende Feldleistung, Umweltstabilität und hohe elektrische und thermische Belastbarkeit in einem breiten Spannungsbereich von vier bis fünfunddreißig Volt. Die Kondensatoren sind für den Betrieb bei Temperaturen bis zu 125 °C ausgelegt.
TECHNISCHES PAPIER HERUNTERLADEN
Ein allgemeiner Trend bei Schaltnetzteilen, Mikroprozessoren und digitalen Schaltkreisen besteht darin, bei höheren Frequenzen weniger Rauschen zu erzielen. Um dies zu erreichen, sind Komponenten mit niedrigem äquivalenten Serienwiderstand (ESR), hoher Kapazität und hoher Zuverlässigkeit erforderlich. Eine neue Generation von Tantal-Chipkondensatoren mit niedrigem ESR wurde unter Verwendung eines MnO2-Elektrolyten mit niedrigem Widerstand entwickelt, der einen sehr niedrigen Komponenten-ESR ermöglicht. Die MnO2-Technologie bietet hervorragende Feldleistung, Umweltstabilität und hohe elektrische und thermische Belastbarkeit in einem breiten Spannungsbereich von vier bis fünfunddreißig Volt. Die Kondensatoren sind für den Betrieb bei Temperaturen bis zu 125 °C ausgelegt.
