Passive Komponenten für GaN-basierte Geräte

Abstract:
Die theoretischen Leistungsgrenzen von siliziumbasierten Geräten nähern sich rasch und sind in manchen Fällen bereits erreicht. Daher konzentrieren sich IC-Designunternehmen (integrierte Schaltkreise) darauf, die Kosten zu senken und gleichzeitig die Leistung von Halbleitern mit großem Bandabstand wie GaN (Galliumnitrid) zu steigern.

Dank dieser intensiven Bemühungen sind nun GaN-basierte Strom- und HF-Geräte (Hochfrequenz) von zahlreichen Herstellern zu erschwinglichen Preisen erhältlich.

Mehrere Quellen haben Leistungsvorteile von GaN-basierten Halbleitern dokumentiert, wie höhere Geschwindigkeit, geringere Verluste und ein Betrieb mit höherer Frequenz, Spannung und Temperatur. Diese Vorteile wiederum ermöglichen Endsysteme mit verbesserter Leistung bei geringerem Stromverbrauch in kleineren und leichteren Gehäusen, die zuverlässiger sind.

GaN-Geräte benötigen passive Hochleistungskomponenten und schaffen einen Bedarf an ganz neuen Familien passiver Geräte.