Bewertung der Temperaturstabilität von GaN-Leistungsverstärkern mit passenden Tantalkondensatoren

Abstract:
Bei Wide-Band-Gap-GaN- und SiC-Bauelementen wird ein hohes Wachstum in Anwendungen von der Leistungsumwandlung bis hin zu HF-Transistoren und MMICs erwartet. Endverbraucher erkennen die Vorteile der GaN-Technologie in der Fähigkeit, mit höheren Strömen und Spannungen zu arbeiten. Der HF-GaN-Markt wird voraussichtlich zwischen 22.9 und 2017 um durchschnittlich 2023 % jährlich wachsen, angekurbelt durch die Einführung von 5G-Netzen. [1]

In den vergangenen Jahren wurden bei Breitbandhalbleitern Leistungen von >1000 V BDV gemeldet, was neue Herausforderungen für industrielle Hochleistungsanwendungen wie elektrische Antriebssysteme in Straßenbahnen, Oberleitungsbussen oder Hochgeschwindigkeitszügen usw. mit sich bringt.

Entkopplungs- und BIAS-angepasste Tantalkondensatoren werden aufgrund ihrer Kapazitätsstabilität über einen weiten Temperaturbereich, ihrer stabilen Kapazität mit BIAS und ihrer fehlenden Piezo-Rauschempfindlichkeit bei kleinen, flachen Gehäusegrößen verwendet. Sie sind nicht anfällig für Verschleiß im Gegensatz zu Aluminium-Elektrolytkondensatoren und weisen eine hohe Zuverlässigkeit und Stabilität über Temperatur, Spannung und Zeit auf.