Höhere Zuverlässigkeit von SMD-Tantalkondensatoren in Anwendungen mit niedriger Impedanz
Geschrieben von: David Mattingly
Abstract:
Es werden hohe dv/dt-Bedingungen in Schaltkreisen mit niedriger Impedanz unter Verwendung von oberflächenmontierten Tantalkondensatoren diskutiert. Schaltungsdesigns unter Verwendung von niedrigem R(DS)EIN MOSFETs zur Vermeidung dieser Zustände werden ausführlich vorgestellt.
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Es werden hohe dv/dt-Bedingungen in Schaltkreisen mit niedriger Impedanz unter Verwendung von oberflächenmontierten Tantalkondensatoren diskutiert. Schaltungsdesigns unter Verwendung von niedrigem R(DS)EIN MOSFETs zur Vermeidung dieser Zustände werden ausführlich vorgestellt.
